BFP410 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFP410

Маркировка: AK*

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4.5 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.09 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT343

 Аналоги (замена) для BFP410

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFP410 даташит

 ..1. Size:573K  infineon
 bfp410.pdf pdf_icon

BFP410

BFP410 Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor Low current device suitable e.g. for handhelds 3 For high frequency oscillators e.g. DRO for LNB 2 4 1 For ISM band applications like Automatic Meter Reading, Sensors etc. Transit frequency fT = 25 GHz Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free package with visible leads Qualification report according to AEC-Q1

Другие транзисторы: BF776, BFP182R, BFP182W, BFP183W, BFP193W, BFP196, BFP405, BFP405F, A733, BFP420, BFP450, BFP520F, BFP540, BFP540ESD, BFP540FESD, BFP640, BFP640ESD