BFP650 Todos los transistores

 

BFP650 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFP650
   Código: R5*
   Material: SiGe
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 13 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 4 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 31000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.26 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT343
 

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BFP650 Datasheet (PDF)

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BFP650

BFP650High Linearity Silicon Germanium Bipolar RF TransistorData SheetRevision 1.1, 2012-09-13RF & Protection DevicesEdition 2012-09-13Published byInfineon Technologies AG81726 Munich, Germany 2013 Infineon Technologies AGAll Rights Reserved.Legal DisclaimerThe information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or character

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BFP650

BFP650FLow profile linear silicon NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP650F is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part ofInfineons established sixth generation transistor family. Its transition frequency fT of42 GHz along with its linearity characteristics make the device suitable for oscillators. Itremains cost competitive without compromisi

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History: MJ11014

 

 
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