BFP650 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFP650

Маркировка: R5*

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 31000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.26 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT343

 Аналоги (замена) для BFP650

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFP650 даташит

 ..1. Size:1509K  infineon
 bfp650.pdf pdf_icon

BFP650

BFP650 High Linearity Silicon Germanium Bipolar RF Transistor Data Sheet Revision 1.1, 2012-09-13 RF & Protection Devices Edition 2012-09-13 Published by Infineon Technologies AG 81726 Munich, Germany 2013 Infineon Technologies AG All Rights Reserved. Legal Disclaimer The information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or character

 0.1. Size:242K  infineon
 bfp650f.pdf pdf_icon

BFP650

BFP650F Low profile linear silicon NPN RF bipolar transistor Product description The BFP650F is a RF bipolar transistor based on SiGe C technology that is part of Infineon s established sixth generation transistor family. Its transition frequency fT of 42 GHz along with its linearity characteristics make the device suitable for oscillators. It remains cost competitive without compromisi

Другие транзисторы: BFP420, BFP450, BFP520F, BFP540, BFP540ESD, BFP540FESD, BFP640, BFP640ESD, BC546, BFP650F, BFP720, BFP720ESD, BFP720F, BFP720FESD, BFP740ESD, BFP740F, BFP740FESD