Справочник транзисторов. BFP650

 

Биполярный транзистор BFP650 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFP650
   Маркировка: R5*
   Тип материала: SiGe
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 13 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 4 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 31000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.26 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT343
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BFP650 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1509K  infineon
 bfp650.pdf pdf_icon

BFP650

BFP650High Linearity Silicon Germanium Bipolar RF TransistorData SheetRevision 1.1, 2012-09-13RF & Protection DevicesEdition 2012-09-13Published byInfineon Technologies AG81726 Munich, Germany 2013 Infineon Technologies AGAll Rights Reserved.Legal DisclaimerThe information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or character

 0.1. Size:242K  infineon
 bfp650f.pdf pdf_icon

BFP650

BFP650FLow profile linear silicon NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFP650F is a RF bipolar transistor based on SiGe:C technology that is part ofInfineons established sixth generation transistor family. Its transition frequency fT of42 GHz along with its linearity characteristics make the device suitable for oscillators. Itremains cost competitive without compromisi

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: KD615 | HA7533 | 5302D | GA4F3P | 2SC2854 | NTE172A | RT1N431S

 

 
Back to Top

 


 
.