BFQ790 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFQ790
Código: R3
Material: SiGe
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 18 V
Tensión colector-emisor (Vce): 6.1 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 20000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.1 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: SOT89
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BFQ790 datasheet
bfq790.pdf
BFQ790 High Linearity RF Medium Power Amplifier Product description The BFQ790 is a single stage high linearity high gain driver amplifier based on Infineon's reliable and cost effective NPN silicon germanium technology. Not internally matched, the BFQ790 provides flexibility in high linearity applications. Features High 3rd order intercept point OIP3 of 41 dBm @ 5 V, 250 mA in 1850
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