BFQ790 Todos los transistores

 

BFQ790 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFQ790

Código: R3

Material: SiGe

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 18 V

Tensión colector-emisor (Vce): 6.1 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 20000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1.1 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 60

Empaquetado / Estuche: SOT89

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BFQ790 Datasheet (PDF)

..1. bfq790.pdf Size:479K _infineon

BFQ790 BFQ790

BFQ790High Linearity RF Medium Power AmplifierProduct descriptionThe BFQ790 is a single stage high linearity high gain driver amplifier based on Infineon's reliable and costeffective NPN silicon germanium technology. Not internally matched, the BFQ790 provides flexibility in highlinearity applications.Features High 3rd order intercept point OIP3 of 41 dBm @ 5 V, 250 mA in 1850

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