BFQ790 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFQ790  📄📄 

Маркировка: R3

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6.1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFQ790

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFQ790 даташит

 ..1. Size:479K  infineon
 bfq790.pdf pdf_icon

BFQ790

BFQ790 High Linearity RF Medium Power Amplifier Product description The BFQ790 is a single stage high linearity high gain driver amplifier based on Infineon's reliable and cost effective NPN silicon germanium technology. Not internally matched, the BFQ790 provides flexibility in high linearity applications. Features High 3rd order intercept point OIP3 of 41 dBm @ 5 V, 250 mA in 1850

Другие транзисторы: BFP740FESD, BFP760, BFP780, BFP840ESD, BFP840FESD, BFP842ESD, BFP843, BFP843F, TIP31C, BFR193F, BFR193L3, BFR193W, BFR360L3, BFR380F, BFR740EL3, BFR740L3RH, BFR840L3RHESD