BFR740L3RH Todos los transistores

 

BFR740L3RH . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFR740L3RH
   Código: R9
   Material: SiGe
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.16 W
   Tensión colector-base (Vcb): 13 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 4 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1.2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 42000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.09 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: TSLP3-9
     - Selección de transistores por parámetros

 

BFR740L3RH Datasheet (PDF)

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BFR740L3RH

BFR740L3RHSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR740L3RH is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in alow profile package.Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless packageProduc

 8.1. Size:541K  infineon
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BFR740L3RH

BFR740EL3SiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR740EL3 is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in alow profile package.Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless package High

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MRF654 | BC33716TFR | 2SA1837 | 2SC3426 | 2N3636UB

 

 
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