BFR740L3RH Todos los transistores

 

BFR740L3RH . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFR740L3RH

Código: R9

Material: SiGe

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.16 W

Tensión colector-base (Vcb): 13 V

Tensión colector-emisor (Vce): 4 V

Tensión emisor-base (Veb): 1.2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 42000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.09 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 160

Empaquetado / Estuche: TSLP3-9

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BFR740L3RH Datasheet (PDF)

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BFR740L3RH BFR740L3RH

BFR740L3RHSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR740L3RH is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in alow profile package.Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless packageProduc

8.1. bfr740el3.pdf Size:541K _infineon

BFR740L3RH BFR740L3RH

BFR740EL3SiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR740EL3 is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in alow profile package.Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless package High

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