BFR740L3RH . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFR740L3RH
Código: R9
Material: SiGe
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.16 W
Tensión colector-base (Vcb): 13 V
Tensión colector-emisor (Vce): 4 V
Tensión emisor-base (Veb): 1.2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 42000 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.09 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
Paquete / Cubierta: TSLP3-9
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BFR740L3RH
BFR740L3RH Datasheet (PDF)
bfr740l3rh.pdf
BFR740L3RHSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR740L3RH is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in alow profile package.Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless packageProduc
bfr740el3.pdf
BFR740EL3SiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR740EL3 is a wideband RF heterojunction bipolar transistor (HBT) available in alow profile package.Feature list Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz 3 V, 6 mA; 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA Low profile and small form factor leadless package High
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Liste
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