BFR840L3RHESD Todos los transistores

 

BFR840L3RHESD . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFR840L3RHESD

Código: T8

Material: SiGe

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.075 W

Tensión colector-base (Vcb): 2.9 V

Tensión colector-emisor (Vce): 2.25 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.035 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 75000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.052 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 150

Empaquetado / Estuche: TSLP3-9

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BFR840L3RHESD Datasheet (PDF)

..1. bfr840l3rhesd.pdf Size:464K _infineon

BFR840L3RHESD BFR840L3RHESD

BFR840L3RHESDSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR840L3RHESD is a dicrete RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with anintegrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power,1.5 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 75 GHz

9.1. bfr843el3.pdf Size:539K _infineon

BFR840L3RHESD BFR840L3RHESD

BFR843EL3Low noise broadband pre-matched RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR843EL3 is a low noise dual band pre-matched transistor in a low profile packagefor high speed and low power consumption applications.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power and1 kV HBM ESD hardness High transition frequenc

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