Справочник транзисторов. BFR840L3RHESD

 

Биполярный транзистор BFR840L3RHESD - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BFR840L3RHESD

Маркировка: T8

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 2.9 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.052 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150

Корпус транзистора: TSLP3-9

Аналоги (замена) для BFR840L3RHESD

 

 

BFR840L3RHESD Datasheet (PDF)

..1. bfr840l3rhesd.pdf Size:464K _infineon

BFR840L3RHESD BFR840L3RHESD

BFR840L3RHESDSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR840L3RHESD is a dicrete RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with anintegrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power,1.5 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 75 GHz

9.1. bfr843el3.pdf Size:539K _infineon

BFR840L3RHESD BFR840L3RHESD

BFR843EL3Low noise broadband pre-matched RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR843EL3 is a low noise dual band pre-matched transistor in a low profile packagefor high speed and low power consumption applications.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power and1 kV HBM ESD hardness High transition frequenc

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , TIP31 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top