BFR840L3RHESD - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BFR840L3RHESD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BFR840L3RHESD
   Маркировка: T8
   Тип материала: SiGe
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.075 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 2.9 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.25 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.052 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: TSLP3-9

 Аналоги (замена) для BFR840L3RHESD

 

BFR840L3RHESD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:464K  infineon
 bfr840l3rhesd.pdf pdf_icon

BFR840L3RHESD

BFR840L3RHESD SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFR840L3RHESD is a dicrete RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with an integrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications. Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness 20 dBm maximum RF input power, 1.5 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 75 GHz

 9.1. Size:539K  infineon
 bfr843el3.pdf pdf_icon

BFR840L3RHESD

BFR843EL3 Low noise broadband pre-matched RF bipolar transistor Product description The BFR843EL3 is a low noise dual band pre-matched transistor in a low profile package for high speed and low power consumption applications. Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness 20 dBm maximum RF input power and 1 kV HBM ESD hardness High transition frequenc

Другие транзисторы... BFQ790 , BFR193F , BFR193L3 , BFR193W , BFR360L3 , BFR380F , BFR740EL3 , BFR740L3RH , 2222A , BFR843EL3 , SMBT3906L3 , LBC856AWT1G , L2SA1037AKQLT3G , L2SA1774QT3G , L2SA1774RT3G , L2SA1774ST3G , L2SA812QLT3G .

 

 
Back to Top

 


 
.