BFR843EL3 Todos los transistores

 

BFR843EL3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFR843EL3
   Código: T2
   Material: SiGe
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.125 W
   Tensión colector-base (Vcb): 2.9 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 2.25 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.055 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 0.07 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 230
   Paquete / Cubierta: TSLP3-10
 

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BFR843EL3 datasheet

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BFR843EL3

BFR843EL3 Low noise broadband pre-matched RF bipolar transistor Product description The BFR843EL3 is a low noise dual band pre-matched transistor in a low profile package for high speed and low power consumption applications. Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness 20 dBm maximum RF input power and 1 kV HBM ESD hardness High transition frequenc

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BFR843EL3

BFR840L3RHESD SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFR840L3RHESD is a dicrete RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with an integrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications. Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness 20 dBm maximum RF input power, 1.5 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 75 GHz

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