Справочник транзисторов. BFR843EL3

 

Биполярный транзистор BFR843EL3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFR843EL3
   Маркировка: T2
   Тип материала: SiGe
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 2.9 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.25 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.055 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.07 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 230
   Корпус транзистора: TSLP3-10
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BFR843EL3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:539K  infineon
bfr843el3.pdfpdf_icon

BFR843EL3

BFR843EL3Low noise broadband pre-matched RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR843EL3 is a low noise dual band pre-matched transistor in a low profile packagefor high speed and low power consumption applications.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power and1 kV HBM ESD hardness High transition frequenc

 9.1. Size:464K  infineon
bfr840l3rhesd.pdfpdf_icon

BFR843EL3

BFR840L3RHESDSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR840L3RHESD is a dicrete RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with anintegrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power,1.5 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 75 GHz

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: HSE419 | DN050S | SS218 | 2SB852UB | KT8107D | KDY25 | 2SC4061

 

 
Back to Top

 


 
.