BFR843EL3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BFR843EL3  📄📄 

Маркировка: T2

Тип материала: SiGe

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 2.9 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.055 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.07 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 230

Корпус транзистора: TSLP3-10

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BFR843EL3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFR843EL3 даташит

 ..1. Size:539K  infineon
 bfr843el3.pdf pdf_icon

BFR843EL3

BFR843EL3 Low noise broadband pre-matched RF bipolar transistor Product description The BFR843EL3 is a low noise dual band pre-matched transistor in a low profile package for high speed and low power consumption applications. Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness 20 dBm maximum RF input power and 1 kV HBM ESD hardness High transition frequenc

 9.1. Size:464K  infineon
 bfr840l3rhesd.pdf pdf_icon

BFR843EL3

BFR840L3RHESD SiGe C NPN RF bipolar transistor Product description The BFR840L3RHESD is a dicrete RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with an integrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications. Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness 20 dBm maximum RF input power, 1.5 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 75 GHz

Другие транзисторы: BFR193F, BFR193L3, BFR193W, BFR360L3, BFR380F, BFR740EL3, BFR740L3RH, BFR840L3RHESD, 2SC5198, SMBT3906L3, LBC856AWT1G, L2SA1037AKQLT3G, L2SA1774QT3G, L2SA1774RT3G, L2SA1774ST3G, L2SA812QLT3G, L2SA812RLT3G