Биполярный транзистор BFR843EL3 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BFR843EL3
Маркировка: T2
Тип материала: SiGe
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 2.9 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.055 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.07 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 230
Корпус транзистора: TSLP3-10
Аналог (замена) для BFR843EL3
BFR843EL3 Datasheet (PDF)
bfr843el3.pdf

BFR843EL3Low noise broadband pre-matched RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR843EL3 is a low noise dual band pre-matched transistor in a low profile packagefor high speed and low power consumption applications.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power and1 kV HBM ESD hardness High transition frequenc
bfr840l3rhesd.pdf

BFR840L3RHESDSiGe:C NPN RF bipolar transistorProduct descriptionThe BFR840L3RHESD is a dicrete RF heterojunction bipolar transistor (HBT) with anintegrated ESD protection suitable for 5 GHz band applications.Feature list Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power,1.5 kV HBM ESD hardness High transition frequency fT = 75 GHz
Другие транзисторы... BFR193F , BFR193L3 , BFR193W , BFR360L3 , BFR380F , BFR740EL3 , BFR740L3RH , BFR840L3RHESD , 2SC2383Y , SMBT3906L3 , LBC856AWT1G , L2SA1037AKQLT3G , L2SA1774QT3G , L2SA1774RT3G , L2SA1774ST3G , L2SA812QLT3G , L2SA812RLT3G .
History: CX906D | FX918



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet