2SA1196 Todos los transistores

 

2SA1196 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1196
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: TO202
 

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2SA1196 Datasheet (PDF)

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2SA1196

2SA1193(K)Silicon PNP Epitaxial, DarlingtonApplicationHigh gain amplifierOutlineTO-92MOD231. Emitter2. Collector3. Base13212SA1193(K)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 VCollector to emitter voltage VCEO 60 VEmitter to base voltage VEBO 7 VCollector current IC 0.5 ACollector peak

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History: FJNS4203R | 2SA1400-Z | 2SC494Y | MMT930 | CSB1436Q | 2SB103 | RT1N44QS

 

 
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