2SA1196 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SA1196
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: TO202
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2SA1196 datasheet
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2SA1193(K) Silicon PNP Epitaxial, Darlington Application High gain amplifier Outline TO-92MOD 2 3 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 3 2 1 2SA1193(K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60 V Collector to emitter voltage VCEO 60 V Emitter to base voltage VEBO 7 V Collector current IC 0.5 A Collector peak
Otros transistores... 2SA1189 , 2SA119 , 2SA1190 , 2SA1191 , 2SA1193 , 2SA1194 , 2SA1194K , 2SA1195 , 2N3906 , 2SA1197 , 2SA1198 , 2SA1198S , 2SA1199 , 2SA1199S , 2SA12 , 2SA120 , 2SA1200 .
History: 2SB1194 | BSV17-10 | 2SB1118S
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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