Справочник транзисторов. 2SA1196

 

Биполярный транзистор 2SA1196 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1196
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO202
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1196 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:105K  1
 2sa1198s 2sa1199s.pdf pdf_icon

2SA1196

 8.2. Size:126K  toshiba
 2sa1195.pdf pdf_icon

2SA1196

 8.3. Size:118K  rohm
 2sa1199.pdf pdf_icon

2SA1196

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.4. Size:34K  hitachi
 2sa1193.pdf pdf_icon

2SA1196

2SA1193(K)Silicon PNP Epitaxial, DarlingtonApplicationHigh gain amplifierOutlineTO-92MOD231. Emitter2. Collector3. Base13212SA1193(K)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 VCollector to emitter voltage VCEO 60 VEmitter to base voltage VEBO 7 VCollector current IC 0.5 ACollector peak

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2N4931 | 2N1337

 

 
Back to Top

 


 
.