2SA1196 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SA1196
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO202
2SA1196 Datasheet (PDF)
2sa1199.pdf
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
2sa1193.pdf
2SA1193(K) Silicon PNP Epitaxial, Darlington Application High gain amplifier Outline TO-92MOD 2 3 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 3 2 1 2SA1193(K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60 V Collector to emitter voltage VCEO 60 V Emitter to base voltage VEBO 7 V Collector current IC 0.5 A Collector peak
Другие транзисторы... 2SA1189 , 2SA119 , 2SA1190 , 2SA1191 , 2SA1193 , 2SA1194 , 2SA1194K , 2SA1195 , 2N3906 , 2SA1197 , 2SA1198 , 2SA1198S , 2SA1199 , 2SA1199S , 2SA12 , 2SA120 , 2SA1200 .
History: 2N6692 | CHEMX18GP | MM4008 | DTS3705A | DTL3404 | 2SC681A | CHT5401ZGP
History: 2N6692 | CHEMX18GP | MM4008 | DTS3705A | DTL3404 | 2SC681A | CHT5401ZGP
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560









