2SA1196 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

2SA1196 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SA1196
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO202
 

 Аналоги (замена) для 2SA1196

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1196 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:105K  1
 2sa1198s 2sa1199s.pdf pdf_icon

2SA1196

 8.2. Size:126K  toshiba
 2sa1195.pdf pdf_icon

2SA1196

 8.3. Size:118K  rohm
 2sa1199.pdf pdf_icon

2SA1196

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.4. Size:34K  hitachi
 2sa1193.pdf pdf_icon

2SA1196

2SA1193(K)Silicon PNP Epitaxial, DarlingtonApplicationHigh gain amplifierOutlineTO-92MOD231. Emitter2. Collector3. Base13212SA1193(K)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 VCollector to emitter voltage VCEO 60 VEmitter to base voltage VEBO 7 VCollector current IC 0.5 ACollector peak

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1189 , 2SA119 , 2SA1190 , 2SA1191 , 2SA1193 , 2SA1194 , 2SA1194K , 2SA1195 , 13003 , 2SA1197 , 2SA1198 , 2SA1198S , 2SA1199 , 2SA1199S , 2SA12 , 2SA120 , 2SA1200 .

History: H1423 | 2N1016B | 2SA1399 | 2N3064 | PN911 | 2SB1270Q | 2N5322GN

 

 
Back to Top

 


 
.