2SA1196 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1196  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO202

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1196

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1196 даташит

 8.1. Size:105K  1
 2sa1198s 2sa1199s.pdf pdf_icon

2SA1196

 8.2. Size:126K  toshiba
 2sa1195.pdf pdf_icon

2SA1196

 8.3. Size:118K  rohm
 2sa1199.pdf pdf_icon

2SA1196

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.4. Size:34K  hitachi
 2sa1193.pdf pdf_icon

2SA1196

2SA1193(K) Silicon PNP Epitaxial, Darlington Application High gain amplifier Outline TO-92MOD 2 3 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 3 2 1 2SA1193(K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60 V Collector to emitter voltage VCEO 60 V Emitter to base voltage VEBO 7 V Collector current IC 0.5 A Collector peak

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA1189, 2SA119, 2SA1190, 2SA1191, 2SA1193, 2SA1194, 2SA1194K, 2SA1195, 2N3906, 2SA1197, 2SA1198, 2SA1198S, 2SA1199, 2SA1199S, 2SA12, 2SA120, 2SA1200