2SA1197 Todos los transistores

 

2SA1197 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SA1197
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 135 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 3500
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SA1197 Datasheet (PDF)

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2SA1197

2SA1193(K)Silicon PNP Epitaxial, DarlingtonApplicationHigh gain amplifierOutlineTO-92MOD231. Emitter2. Collector3. Base13212SA1193(K)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 VCollector to emitter voltage VCEO 60 VEmitter to base voltage VEBO 7 VCollector current IC 0.5 ACollector peak

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History: 2N6313 | DTA114YCA | CSD545F | FJNS4207R | 2SA557 | 2SC4427 | BDT63-TO63

 

 
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