Справочник транзисторов. 2SA1197

 

Биполярный транзистор 2SA1197 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1197
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3500
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SA1197

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1197 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:105K  1
 2sa1198s 2sa1199s.pdf pdf_icon

2SA1197

 8.2. Size:126K  toshiba
 2sa1195.pdf pdf_icon

2SA1197

 8.3. Size:118K  rohm
 2sa1199.pdf pdf_icon

2SA1197

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.4. Size:34K  hitachi
 2sa1193.pdf pdf_icon

2SA1197

2SA1193(K)Silicon PNP Epitaxial, DarlingtonApplicationHigh gain amplifierOutlineTO-92MOD231. Emitter2. Collector3. Base13212SA1193(K)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 60 VCollector to emitter voltage VCEO 60 VEmitter to base voltage VEBO 7 VCollector current IC 0.5 ACollector peak

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: HUN2231 | 2SC5612

 

 
Back to Top

 


 
.