2SA1197. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SA1197
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3500
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для 2SA1197
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SA1197 даташит
2sa1199.pdf
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
2sa1193.pdf
2SA1193(K) Silicon PNP Epitaxial, Darlington Application High gain amplifier Outline TO-92MOD 2 3 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 3 2 1 2SA1193(K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 60 V Collector to emitter voltage VCEO 60 V Emitter to base voltage VEBO 7 V Collector current IC 0.5 A Collector peak
Другие транзисторы: 2SA119, 2SA1190, 2SA1191, 2SA1193, 2SA1194, 2SA1194K, 2SA1195, 2SA1196, A1941, 2SA1198, 2SA1198S, 2SA1199, 2SA1199S, 2SA12, 2SA120, 2SA1200, 2SA1201
History: BTN2369A3 | H772 | EN3502
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560 | tip31c transistor equivalent








