LBTP180Y3T1G Todos los transistores

 

LBTP180Y3T1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LBTP180Y3T1G
   Código: E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.55 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT89

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LBTP180Y3T1G Datasheet (PDF)

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LBTP180Y3T1G LBTP180Y3T1G

LBTP180Y3T1GS-LBTP180Y3T1GPNP medium power transistors121. FEATURES3High currentLow voltageSOT89We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiring2unique site and control change requirements; AEC-Q101qualified and PPAP capable.12.APPLICATIONS3

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History: 2N5376

 

 
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