LBTP180Y3T1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LBTP180Y3T1G

Маркировка: E

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для LBTP180Y3T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LBTP180Y3T1G даташит

 ..1. Size:701K  lrc
 lbtp180y3t1g.pdf pdf_icon

LBTP180Y3T1G

LBTP180Y3T1G S-LBTP180Y3T1G PNP medium power transistors 1 2 1. FEATURES 3 High current Low voltage SOT89 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring 2 unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. 1 2.APPLICATIONS 3

Другие транзисторы: LBSS4240LT3G, LBSS4250Y3T1G, LBSS4350SY3T1G, LBSS5240LT3G, LBSS5250Y3T1G, LBSS5350SY3T1G, LBTN180Y3T1G, LBTN180Z4TZHG, 431, LBTP460Z4TZHG, LDTA114EET1G, LDTA114TET1G, LDTA114YET1G, LDTA115EET1G, LDTA123EET1G, LDTA123JET1G, LDTA124EET1G