LMBT6517LT3G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LMBT6517LT3G
   Código: 1Z
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
   Tensión colector-base (Vcb): 350 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar LMBT6517LT3G

LMBT6517LT3G Datasheet (PDF)

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High Voltage TransistorsNPN SiliconLMBT6517LT1GWe declare that the material of productS-LMBT6517LT1Gcompliance with RoHS requirements.Ordering Information3Device Marking ShippingLMBT6 517LT1G3000/Tape&Reel1ZS-LMBT6 517LT1G 1LMBT6517LT3G10000/Tape&Reel1Z2S-LMBT6517LT3GSOT23 MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit3COLLECTO

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High Voltage TransistorPNP SiliconLMBT6520LT1GWe declare that the material of productcompliance with RoHS requirements. S-LMBT6520LT1GS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3Ordering Information1Device Marking Shipping2LMBT6520LT1G3000/Tape&

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