Биполярный транзистор LMBT6517LT3G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: LMBT6517LT3G
Маркировка: 1Z
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT23
Аналог (замена) для LMBT6517LT3G
LMBT6517LT3G Datasheet (PDF)
lmbt6517lt1g lmbt6517lt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High Voltage TransistorsNPN SiliconLMBT6517LT1GWe declare that the material of productS-LMBT6517LT1Gcompliance with RoHS requirements.Ordering Information3Device Marking ShippingLMBT6 517LT1G3000/Tape&Reel1ZS-LMBT6 517LT1G 1LMBT6517LT3G10000/Tape&Reel1Z2S-LMBT6517LT3GSOT23 MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit3COLLECTO
lmbt6517lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High Voltage TransistorsNPN SiliconLMBT6517LT1GWe declare that the material of productS-LMBT6517LT1Gcompliance with RoHS requirements.Ordering Information3Device Marking ShippingLMBT6 517LT1G3000/Tape&Reel1ZS-LMBT6 517LT1G 1LMBT6517LT3G10000/Tape&Reel1Z2S-LMBT6517LT3GSOT23 MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit3COLLECTO
lmbt6520lt1g lmbt6520lt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High Voltage TransistorPNP SiliconLMBT6520LT1GWe declare that the material of productcompliance with RoHS requirements. S-LMBT6520LT1GS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3Ordering Information1Device Marking Shipping2LMBT6520LT1G3000/Tape&
lmbt6520lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High Voltage TransistorPNP SiliconLMBT6520LT1GWe declare that the material of productcompliance with RoHS requirements. S-LMBT6520LT1GS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.3Ordering Information1Device Marking Shipping2LMBT6520LT1G3000/Tape&
Другие транзисторы... LMBT5401DW1T3G , LMBT5401LT3G , LMBT5541DW1T3G , LMBT5550LT1G , LMBT5550LT3G , LMBT5551DW1T3G , LMBT5551LT3G , LMBT6428LT3G , A940 , LMBT6520LT3G , LMBTA42LT3G , LMBTA43LT3G , LMBTA56LT3G , LMBTA92LT3G , LMBTA93LT1G , LMBTA93LT3G , LMBTH10LT3G .
History: HM5551
History: HM5551
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent