KBT5401C Todos los transistores

 

KBT5401C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KBT5401C

Código: NFN*

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 160 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: SOT23

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KBT5401C datasheet

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KBT5401C

KBT5401C PNP Silicon Transistor 2018.03 02 2018.03 02 2018.03 02 2018.03 02 1 000 2018.03.02 AUK Dalian 1 KBT5401C PNP Silicon Transistor Descriptions General purpose ampli

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History: 2SB772-P

 

 

 


 
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