Справочник транзисторов. KBT5401C

 

Биполярный транзистор KBT5401C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: KBT5401C
   Маркировка: NFN*
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

KBT5401C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6784K  kodenshi
kbt5401c.pdfpdf_icon

KBT5401C

KBT5401C PNP Silicon Transistor 2018.0302 2018.0302 2018.0302 2018.0302 1 000 2018.03.02 AUK Dalian 1 KBT5401C PNP Silicon Transistor Descriptions General purpose ampli

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 2N6772 | BC846AS | GT330I | 2SC2800 | MJ4030 | US6X3 | LMUN5235DW1T1G

 

 
Back to Top

 


 
.