KBT5401C - описание и поиск аналогов

 

KBT5401C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KBT5401C

Маркировка: NFN*

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для KBT5401C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

KBT5401C даташит

 ..1. Size:6784K  kodenshi
 kbt5401c.pdf pdf_icon

KBT5401C

KBT5401C PNP Silicon Transistor 2018.03 02 2018.03 02 2018.03 02 2018.03 02 1 000 2018.03.02 AUK Dalian 1 KBT5401C PNP Silicon Transistor Descriptions General purpose ampli

Другие транзисторы: KBC807-25, KBC807-40, KBC817-16, KBC817-25, KBC817-40, KBT2222AC, KBT2907AC, KBT3904C, 2SC2655, KBT5551C, KC5343S, KC5344S, KS8050L-B, KS8050L-C, KS8050L-D, KS8550L-B, KS8550L-C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.