NSVF3007SG3 Todos los transistores

 

NSVF3007SG3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NSVF3007SG3
   Código: GM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 6000 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: MCPH3
 

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NSVF3007SG3 Datasheet (PDF)

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NSVF3007SG3

NSVF3007SG3 RF Transistor for Low Noise Amplifier This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. MCPH package is suitable for use under high temperature environment because it www.onsemi.com has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. 12 V, 30 mA Features fT = 8 GHz ty

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History: CHDTA114TKGP | KSC3953C | 2SC897 | KT8108A | MM1501A | 2N4911 | 40616S

 

 
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