NSVF3007SG3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NSVF3007SG3
Código: GM
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 6000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: MCPH3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar NSVF3007SG3
NSVF3007SG3 Datasheet (PDF)
..1. Size:485K onsemi
nsvf3007sg3.pdf
nsvf3007sg3.pdf
NSVF3007SG3 RF Transistor for Low Noise Amplifier This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. MCPH package is suitable for use under high temperature environment because it www.onsemi.com has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. 12 V, 30 mA Features fT = 8 GHz ty
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
