Справочник транзисторов. NSVF3007SG3

 

Биполярный транзистор NSVF3007SG3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSVF3007SG3
   Маркировка: GM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: MCPH3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

NSVF3007SG3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  onsemi
 nsvf3007sg3.pdf pdf_icon

NSVF3007SG3

NSVF3007SG3 RF Transistor for Low Noise Amplifier This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. MCPH package is suitable for use under high temperature environment because it www.onsemi.com has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. 12 V, 30 mA Features fT = 8 GHz ty

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: RN2711 | BF253-3 | CMPTA06 | MRF342 | 41501 | NSVMUN5331DW1T1G

 

 
Back to Top

 


 
.