NSVF3007SG3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSVF3007SG3

Маркировка: GM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: MCPH3

 Аналоги (замена) для NSVF3007SG3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVF3007SG3 даташит

 ..1. Size:485K  onsemi
 nsvf3007sg3.pdf pdf_icon

NSVF3007SG3

NSVF3007SG3 RF Transistor for Low Noise Amplifier This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. MCPH package is suitable for use under high temperature environment because it www.onsemi.com has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. 12 V, 30 mA Features fT = 8 GHz ty

Другие транзисторы: NSVBC856BM3, NSVBCH807-16L, NSVBCH807-25L, NSVBCH807-40L, NSVBCH817-16L, NSVBCH817-25L, NSVBCH817-40L, NSVBT2222ADW1, 2SC945, NSVF4009SG4, NSVF4015SG4, NSVF4017SG4, NSVF4020SG4, NSVF5488SK, NSVF5490SK, NSVF6001SB6, NSVF6003SB6