NSVF6001SB6 Todos los transistores

 

NSVF6001SB6 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NSVF6001SB6
   Código: HGA*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.95 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: CPH6
     - Selección de transistores por parámetros

 

NSVF6001SB6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:862K  onsemi
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NSVF6001SB6

RF Transistor 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz,NPN SingleNSVF6001SB6This RF transistor is designed for low noise amplifier applications.CPH package is suitable for use under high temperature environmentwww.onsemi.combecause it has superior heat radiation characteristics. This RFtransistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive65applications.412Features3

 7.1. Size:373K  onsemi
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NSVF6001SB6

NSVF6003SB6 RF Transistor 12 V, 150 mA, fT = 7 GHz, NPN Single This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. CPH www.onsemi.com package is suitable for use under high temperature environment because it has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. 12 V, 150 mA Features

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History: ZTX302M | NSVF4009SG4

 

 
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