NSVF6001SB6 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NSVF6001SB6

Código: HGA*

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5000 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 0.95 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: CPH6

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NSVF6001SB6 datasheet

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NSVF6001SB6

RF Transistor 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz, NPN Single NSVF6001SB6 This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. CPH package is suitable for use under high temperature environment www.onsemi.com because it has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive 6 5 applications. 4 1 2 Features 3

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NSVF6001SB6

NSVF6003SB6 RF Transistor 12 V, 150 mA, fT = 7 GHz, NPN Single This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. CPH www.onsemi.com package is suitable for use under high temperature environment because it has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. 12 V, 150 mA Features

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