Справочник транзисторов. NSVF6001SB6

 

Биполярный транзистор NSVF6001SB6 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSVF6001SB6
   Маркировка: HGA*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.95 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: CPH6
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

NSVF6001SB6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:862K  onsemi
 nsvf6001sb6.pdf pdf_icon

NSVF6001SB6

RF Transistor 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz,NPN SingleNSVF6001SB6This RF transistor is designed for low noise amplifier applications.CPH package is suitable for use under high temperature environmentwww.onsemi.combecause it has superior heat radiation characteristics. This RFtransistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive65applications.412Features3

 7.1. Size:373K  onsemi
 nsvf6003sb6.pdf pdf_icon

NSVF6001SB6

NSVF6003SB6 RF Transistor 12 V, 150 mA, fT = 7 GHz, NPN Single This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. CPH www.onsemi.com package is suitable for use under high temperature environment because it has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. 12 V, 150 mA Features

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.