NSVF6001SB6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSVF6001SB6

Маркировка: HGA*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.95 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: CPH6

 Аналоги (замена) для NSVF6001SB6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVF6001SB6 даташит

 ..1. Size:862K  onsemi
 nsvf6001sb6.pdf pdf_icon

NSVF6001SB6

RF Transistor 12 V, 100 mA, fT = 6.7 GHz, NPN Single NSVF6001SB6 This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. CPH package is suitable for use under high temperature environment www.onsemi.com because it has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive 6 5 applications. 4 1 2 Features 3

 7.1. Size:373K  onsemi
 nsvf6003sb6.pdf pdf_icon

NSVF6001SB6

NSVF6003SB6 RF Transistor 12 V, 150 mA, fT = 7 GHz, NPN Single This RF transistor is designed for low noise amplifier applications. CPH www.onsemi.com package is suitable for use under high temperature environment because it has superior heat radiation characteristics. This RF transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. 12 V, 150 mA Features

Другие транзисторы: NSVBT2222ADW1, NSVF3007SG3, NSVF4009SG4, NSVF4015SG4, NSVF4017SG4, NSVF4020SG4, NSVF5488SK, NSVF5490SK, D209L, NSVF6003SB6, NSVMBT3904DW1, NSVMMBT5401L, NSVMMBT6520L, NSVMMBTH10L, NSVMSD1819A-RT1G, NSVS50030SB3, NSVS50031SB3