NSVUMC3NT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NSVUMC3NT1G
Código: U3*
Material: Si
Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN*PNP
Resistencia de Entrada Base R1 = 10 kOhm
Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm
Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 35
Paquete / Cubierta: SOT353
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar NSVUMC3NT1G
NSVUMC3NT1G Datasheet (PDF)
umc2nt1g nsvumc2nt1g umc3nt1g nsvumc3nt1g umc3nt2g umc5nt1g umc5nt2g nsvumc5nt2g.pdf
UMC2NT1G,NSVUMC2NT1G,UMC3NT1G,NSVUMC3NT1G,UMC5NT1G,NSVUMC5NT2Ghttp://onsemi.comDual CommonBase-Collector BiasResistor TransistorsSC-88A/SOT-353CASE 419ANPN and PNP Silicon Surface MountSTYLE 6Transistors with Monolithic BiasResistor Network 312R1R2The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of t
umz1nt1g nsvumz1nt1g.pdf
UMZ1NT1GComplementary DualGeneral PurposeAmplifier TransistorPNP and NPN Surface Mountwww.onsemi.comFeatures High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA(6) (5) (4) High hFE: hFE = 200X400 Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating - Human Body Model: 3AQ1 Q2ESD Rating - Machine Model: C NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiri
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
