Справочник транзисторов. NSVUMC3NT1G

 

Биполярный транзистор NSVUMC3NT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: NSVUMC3NT1G
   Маркировка: U3*
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: SOT353
 

 Аналог (замена) для NSVUMC3NT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVUMC3NT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:173K  onsemi
 umc2nt1g nsvumc2nt1g umc3nt1g nsvumc3nt1g umc3nt2g umc5nt1g umc5nt2g nsvumc5nt2g.pdf pdf_icon

NSVUMC3NT1G

UMC2NT1G,NSVUMC2NT1G,UMC3NT1G,NSVUMC3NT1G,UMC5NT1G,NSVUMC5NT2Ghttp://onsemi.comDual CommonBase-Collector BiasResistor TransistorsSC-88A/SOT-353CASE 419ANPN and PNP Silicon Surface MountSTYLE 6Transistors with Monolithic BiasResistor Network 312R1R2The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of t

 9.1. Size:135K  onsemi
 umz1nt1g nsvumz1nt1g.pdf pdf_icon

NSVUMC3NT1G

UMZ1NT1GComplementary DualGeneral PurposeAmplifier TransistorPNP and NPN Surface Mountwww.onsemi.comFeatures High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA(6) (5) (4) High hFE: hFE = 200X400 Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating - Human Body Model: 3AQ1 Q2ESD Rating - Machine Model: C NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiri

Другие транзисторы... NSVMMBT5401L , NSVMMBT6520L , NSVMMBTH10L , NSVMSD1819A-RT1G , NSVS50030SB3 , NSVS50031SB3 , NSVT1418L , NSVUMC2NT1G , BC639 , NSVUMC5NT2G , NSVUMZ1NT1G , PN2222ABU , PN2222ATA , PN2222ATF , PN2222ATFR , PN2907ABU , PN2907ATA .

 

 
Back to Top

 


 
.