NSVUMZ1NT1G Todos los transistores

 

NSVUMZ1NT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NSVUMZ1NT1G
   Código: 3Z*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.187 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 114 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SC88

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NSVUMZ1NT1G Datasheet (PDF)

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UMZ1NT1GComplementary DualGeneral PurposeAmplifier TransistorPNP and NPN Surface Mountwww.onsemi.comFeatures High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA(6) (5) (4) High hFE: hFE = 200X400 Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating - Human Body Model: 3AQ1 Q2ESD Rating - Machine Model: C NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiri

 9.1. Size:173K  onsemi
 umc2nt1g nsvumc2nt1g umc3nt1g nsvumc3nt1g umc3nt2g umc5nt1g umc5nt2g nsvumc5nt2g.pdf

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UMC2NT1G,NSVUMC2NT1G,UMC3NT1G,NSVUMC3NT1G,UMC5NT1G,NSVUMC5NT2Ghttp://onsemi.comDual CommonBase-Collector BiasResistor TransistorsSC-88A/SOT-353CASE 419ANPN and PNP Silicon Surface MountSTYLE 6Transistors with Monolithic BiasResistor Network 312R1R2The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor witha monolithic bias network consisting of t

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History: NB211EX | 2N5860 | 2N2522 | 2SA1535 | 2SA1575E | CHIMD1GP

 

 
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