NSVUMZ1NT1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NSVUMZ1NT1G

Código: 3Z*

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.187 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 114 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SC88

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NSVUMZ1NT1G datasheet

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NSVUMZ1NT1G

UMZ1NT1G Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount www.onsemi.com Features High Voltage and High Current VCEO = 50 V, IC = 200 mA (6) (5) (4) High hFE hFE = 200X400 Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating - Human Body Model 3A Q1 Q2 ESD Rating - Machine Model C NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiri

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NSVUMZ1NT1G

UMC2NT1G, NSVUMC2NT1G, UMC3NT1G, NSVUMC3NT1G, UMC5NT1G, NSVUMC5NT2G http //onsemi.com Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors SC-88A/SOT-353 CASE 419A NPN and PNP Silicon Surface Mount STYLE 6 Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 31 2 R1 R2 The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of t

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