NSVUMZ1NT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NSVUMZ1NT1G

Маркировка: 3Z*

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.187 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 114 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SC88

 Аналоги (замена) для NSVUMZ1NT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NSVUMZ1NT1G даташит

 ..1. Size:135K  onsemi
 umz1nt1g nsvumz1nt1g.pdf pdf_icon

NSVUMZ1NT1G

UMZ1NT1G Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount www.onsemi.com Features High Voltage and High Current VCEO = 50 V, IC = 200 mA (6) (5) (4) High hFE hFE = 200X400 Moisture Sensitivity Level 1 ESD Rating - Human Body Model 3A Q1 Q2 ESD Rating - Machine Model C NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiri

 9.1. Size:173K  onsemi
 umc2nt1g nsvumc2nt1g umc3nt1g nsvumc3nt1g umc3nt2g umc5nt1g umc5nt2g nsvumc5nt2g.pdf pdf_icon

NSVUMZ1NT1G

UMC2NT1G, NSVUMC2NT1G, UMC3NT1G, NSVUMC3NT1G, UMC5NT1G, NSVUMC5NT2G http //onsemi.com Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors SC-88A/SOT-353 CASE 419A NPN and PNP Silicon Surface Mount STYLE 6 Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 31 2 R1 R2 The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of t

Другие транзисторы: NSVMMBTH10L, NSVMSD1819A-RT1G, NSVS50030SB3, NSVS50031SB3, NSVT1418L, NSVUMC2NT1G, NSVUMC3NT1G, NSVUMC5NT2G, 2SD669, PN2222ABU, PN2222ATA, PN2222ATF, PN2222ATFR, PN2907ABU, PN2907ATA, PN2907ATAR, PN2907ATF