SNSS30201MR6T1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SNSS30201MR6T1G
Código: VS7*
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.535 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de SNSS30201MR6T1G
SNSS30201MR6T1G Datasheet (PDF)
nss30201mr6t1g snss30201mr6t1g.pdf

NSS30201MR6T1G,SNSS30201MR6T1G30 V, 3 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)http://onsemi.comtransistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applications 30 VOLTSwhere affordable efficien
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: KSH13005A | ME1075 | 2SC4088 | DRAF123J | EMD4DXV6T1G | 3CG751 | HE8051
History: KSH13005A | ME1075 | 2SC4088 | DRAF123J | EMD4DXV6T1G | 3CG751 | HE8051



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290