SNSS30201MR6T1G Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SNSS30201MR6T1G

Código: VS7*

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.535 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: TSOP6

 Búsqueda de reemplazo de SNSS30201MR6T1G

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SNSS30201MR6T1G datasheet

 0.1. Size:204K  onsemi
 nss30201mr6t1g snss30201mr6t1g.pdf pdf_icon

SNSS30201MR6T1G

NSS30201MR6T1G, SNSS30201MR6T1G 30 V, 3 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) http //onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications 30 VOLTS where affordable efficien

Otros transistores... SMMBT6521LT1G, SMMBTA06W, SMMBTA42L, SMMBTA56L, SMMBTA56W, SMMBTA92, SMMBTA92L, SMMBTH10-4L, TIP122, SS8550BBU, SS8550CBU, SS8550CTA, SS8550DBU, SS8550DTA, TIP110G, TIP111G, TIP112G