SNSS30201MR6T1G Todos los transistores

 

SNSS30201MR6T1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SNSS30201MR6T1G
   Código: VS7*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.535 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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SNSS30201MR6T1G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:204K  onsemi
nss30201mr6t1g snss30201mr6t1g.pdf pdf_icon

SNSS30201MR6T1G

NSS30201MR6T1G,SNSS30201MR6T1G30 V, 3 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)http://onsemi.comtransistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applications 30 VOLTSwhere affordable efficien

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History: KSH13005A | ME1075 | 2SC4088 | DRAF123J | EMD4DXV6T1G | 3CG751 | HE8051

 

 
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