Биполярный транзистор SNSS30201MR6T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SNSS30201MR6T1G
Маркировка: VS7*
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.535 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: TSOP6
Аналоги (замена) для SNSS30201MR6T1G
SNSS30201MR6T1G Datasheet (PDF)
0.1. Size:204K onsemi
nss30201mr6t1g snss30201mr6t1g.pdf
nss30201mr6t1g snss30201mr6t1g.pdf
NSS30201MR6T1G,SNSS30201MR6T1G30 V, 3 A, Low VCE(sat)NPN TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)http://onsemi.comtransistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applications 30 VOLTSwhere affordable efficien
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050