SNSS30201MR6T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SNSS30201MR6T1G

Маркировка: VS7*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.535 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TSOP6

 Аналоги (замена) для SNSS30201MR6T1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SNSS30201MR6T1G даташит

 0.1. Size:204K  onsemi
 nss30201mr6t1g snss30201mr6t1g.pdf pdf_icon

SNSS30201MR6T1G

NSS30201MR6T1G, SNSS30201MR6T1G 30 V, 3 A, Low VCE(sat) NPN Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) http //onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications 30 VOLTS where affordable efficien

Другие транзисторы: SMMBT6521LT1G, SMMBTA06W, SMMBTA42L, SMMBTA56L, SMMBTA56W, SMMBTA92, SMMBTA92L, SMMBTH10-4L, TIP122, SS8550BBU, SS8550CBU, SS8550CTA, SS8550DBU, SS8550DTA, TIP110G, TIP111G, TIP112G