BCM53DS . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BCM53DS
Código: 3C
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.27 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 63
Paquete / Cubierta: SOT457
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BCM53DS Datasheet (PDF)
bcm53ds.pdf

BCM53DS80 V, 1 A PNP/PNP matched double transistors10 April 2018 Product data sheet1. General descriptionPNP/PNP matched double transistors in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD)plastic package.NPN/NPN complement: BCM56DS2. Features and benefits High collector current capability IC and ICM Reduces component count Reduces pick and place costs Cur
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History: 2SD1727 | KZT3906 | MA4102
History: 2SD1727 | KZT3906 | MA4102



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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