BCM53DS Todos los transistores

 

BCM53DS . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BCM53DS
   Código: 3C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.27 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 63
   Paquete / Cubierta: SOT457
     - Selección de transistores por parámetros

 

BCM53DS Datasheet (PDF)

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BCM53DS

BCM53DS80 V, 1 A PNP/PNP matched double transistors10 April 2018 Product data sheet1. General descriptionPNP/PNP matched double transistors in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD)plastic package.NPN/NPN complement: BCM56DS2. Features and benefits High collector current capability IC and ICM Reduces component count Reduces pick and place costs Cur

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History: KSD261O | DTL3512 | BSY19 | NB213YX | KSB795 | 2N2069 | 2SC4738

 

 
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