BCM53DS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BCM53DS 📄📄
Código: 3C
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.27 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 63
Encapsulados: SOT457
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BCM53DS datasheet
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BCM53DS 80 V, 1 A PNP/PNP matched double transistors 10 April 2018 Product data sheet 1. General description PNP/PNP matched double transistors in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN/NPN complement BCM56DS 2. Features and benefits High collector current capability IC and ICM Reduces component count Reduces pick and place costs Cur
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