Справочник транзисторов. BCM53DS

 

Биполярный транзистор BCM53DS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCM53DS
   Маркировка: 3C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 63
   Корпус транзистора: SOT457
 

 Аналог (замена) для BCM53DS

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCM53DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  nxp
 bcm53ds.pdf pdf_icon

BCM53DS

BCM53DS80 V, 1 A PNP/PNP matched double transistors10 April 2018 Product data sheet1. General descriptionPNP/PNP matched double transistors in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD)plastic package.NPN/NPN complement: BCM56DS2. Features and benefits High collector current capability IC and ICM Reduces component count Reduces pick and place costs Cur

Другие транзисторы... BC847RA , BC847RAPN , BC847W-Q , BC856BM , BC857AQA , BC857BQA , BC857CQA , BC857RA , BC327 , BCM56DS , BCM847QAS , BCM856BS-DG , BCM856DS-DG , BCM857QAS , BCP51-10T , BCP51-16T , BCP51T .

History: M8050T | BC181A | 2SC2944 | 3DD167B | TI886

 

 
Back to Top

 


 
.