Справочник транзисторов. BCM53DS

 

Биполярный транзистор BCM53DS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCM53DS
   Маркировка: 3C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 63
   Корпус транзистора: SOT457
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BCM53DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  nxp
 bcm53ds.pdf pdf_icon

BCM53DS

BCM53DS80 V, 1 A PNP/PNP matched double transistors10 April 2018 Product data sheet1. General descriptionPNP/PNP matched double transistors in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD)plastic package.NPN/NPN complement: BCM56DS2. Features and benefits High collector current capability IC and ICM Reduces component count Reduces pick and place costs Cur

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BD746 | BCM846S | BCP52-16T1

 

 
Back to Top

 


 
.