BCM56DS Todos los transistores

 

BCM56DS . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BCM56DS
   Código: 3D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.27 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 63
   Paquete / Cubierta: SOT457
 

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BCM56DS Datasheet (PDF)

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BCM56DS

BCM56DS80 V, 1 A NPN/NPN matched double transistors10 April 2018 Product data sheet1. General descriptionNPN/NPN matched double transistors in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD)plastic package.PNP/PNP complement: BCM53DS2. Features and benefits High collector current capability IC and ICM Reduces component count Reduces pick and place costs Cur

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History: 2SB939A | D32S4 | 2SA1534A | 2SD2170 | BDX23 | TD366C | 2SC3255

 

 
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