BCM56DS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BCM56DS  📄📄 

Маркировка: 3D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 63

Корпус транзистора: SOT457

 Аналоги (замена) для BCM56DS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCM56DS даташит

 ..1. Size:239K  nxp
 bcm56ds.pdf pdf_icon

BCM56DS

BCM56DS 80 V, 1 A NPN/NPN matched double transistors 10 April 2018 Product data sheet 1. General description NPN/NPN matched double transistors in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP/PNP complement BCM53DS 2. Features and benefits High collector current capability IC and ICM Reduces component count Reduces pick and place costs Cur

Другие транзисторы: BC847RAPN, BC847W-Q, BC856BM, BC857AQA, BC857BQA, BC857CQA, BC857RA, BCM53DS, A733, BCM847QAS, BCM856BS-DG, BCM856DS-DG, BCM857QAS, BCP51-10T, BCP51-16T, BCP51T, BCP52-10T