Справочник транзисторов. BCM56DS

 

Биполярный транзистор BCM56DS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCM56DS
   Маркировка: 3D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.27 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 63
   Корпус транзистора: SOT457
 

 Аналог (замена) для BCM56DS

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCM56DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  nxp
 bcm56ds.pdf pdf_icon

BCM56DS

BCM56DS80 V, 1 A NPN/NPN matched double transistors10 April 2018 Product data sheet1. General descriptionNPN/NPN matched double transistors in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD)plastic package.PNP/PNP complement: BCM53DS2. Features and benefits High collector current capability IC and ICM Reduces component count Reduces pick and place costs Cur

Другие транзисторы... BC847RAPN , BC847W-Q , BC856BM , BC857AQA , BC857BQA , BC857CQA , BC857RA , BCM53DS , TIP31C , BCM847QAS , BCM856BS-DG , BCM856DS-DG , BCM857QAS , BCP51-10T , BCP51-16T , BCP51T , BCP52-10T .

History: 2SC3114 | NUS5530MN

 

 
Back to Top

 


 
.