BFU725F-N1 Todos los transistores

 

BFU725F-N1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFU725F-N1
   Código: B7*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.136 W
   Tensión colector-base (Vcb): 10 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 2.8 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 55000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 70 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: SOT343F
 

 Búsqueda de reemplazo de BFU725F-N1

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BFU725F-N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  nxp
 bfu725f-n1.pdf pdf_icon

BFU725F-N1

BFU725F/N1NPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 2 3 November 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrost

 7.1. Size:73K  philips
 bfu725f n1.pdf pdf_icon

BFU725F-N1

BFU725F/N1NPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 01 13 July 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in aplastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handlingelectrostatic

Otros transistores... BCX54-16T , BCX54T , BCX55-10T , BCX55-16T , BCX55T , BCX56-10T , BCX56-16T , BCX56T , 2SC828 , MJD31CA , MJD44H11A , NMB2227A , PBHV8115TLH , PBHV8515QA , PBHV9115TLH , PBHV9540X , PBSS2515MB .

History: 2SB656 | 2SB1159 | 2N3852 | CSC2690R | 2SC2412KRLT1 | 2SA294 | 2SA1725O

 

 
Back to Top

 


 
.