BFU725F-N1 Todos los transistores

 

BFU725F-N1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFU725F-N1
   Código: B7*
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.136 W
   Tensión colector-base (Vcb): 10 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 2.8 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 55000 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 70 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: SOT343F
     - Selección de transistores por parámetros

 

BFU725F-N1 Datasheet (PDF)

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BFU725F-N1

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BFU725F-N1

BFU725F/N1NPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 01 13 July 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in aplastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handlingelectrostatic

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History: BLX52 | 2SC295 | BSP62T1 | BD338 | A1015A-GR | 2SD2466A | ACY22E

 

 
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