Справочник транзисторов. BFU725F-N1

 

Биполярный транзистор BFU725F-N1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFU725F-N1
   Маркировка: B7*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.136 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.8 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SOT343F
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BFU725F-N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  nxp
 bfu725f-n1.pdf pdf_icon

BFU725F-N1

BFU725F/N1NPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 2 3 November 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrost

 7.1. Size:73K  philips
 bfu725f n1.pdf pdf_icon

BFU725F-N1

BFU725F/N1NPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 01 13 July 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in aplastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handlingelectrostatic

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: CHT2907A | 2SC4168 | 2N1377 | BF397

 

 
Back to Top

 


 
.