Справочник транзисторов. BFU725F-N1

 

Биполярный транзистор BFU725F-N1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFU725F-N1
   Маркировка: B7*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.136 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.8 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SOT343F
 

 Аналог (замена) для BFU725F-N1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFU725F-N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  nxp
 bfu725f-n1.pdf pdf_icon

BFU725F-N1

BFU725F/N1NPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 2 3 November 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrost

 7.1. Size:73K  philips
 bfu725f n1.pdf pdf_icon

BFU725F-N1

BFU725F/N1NPN wideband silicon germanium RF transistorRev. 01 13 July 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in aplastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.CAUTIONThis device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handlingelectrostatic

Другие транзисторы... BCX54-16T , BCX54T , BCX55-10T , BCX55-16T , BCX55T , BCX56-10T , BCX56-16T , BCX56T , 2SC828 , MJD31CA , MJD44H11A , NMB2227A , PBHV8115TLH , PBHV8515QA , PBHV9115TLH , PBHV9540X , PBSS2515MB .

History: 2SD2353

 

 
Back to Top

 


 
.