BFU725F-N1 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BFU725F-N1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BFU725F-N1
   Маркировка: B7*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.136 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 2.8 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SOT343F

 Аналоги (замена) для BFU725F-N1

 

BFU725F-N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  nxp
 bfu725f-n1.pdf pdf_icon

BFU725F-N1

BFU725F/N1 NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 2 3 November 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrost

 7.1. Size:73K  philips
 bfu725f n1.pdf pdf_icon

BFU725F-N1

BFU725F/N1 NPN wideband silicon germanium RF transistor Rev. 01 13 July 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package. CAUTION This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Observe precautions for handling electrostatic

Другие транзисторы... BCX54-16T , BCX54T , BCX55-10T , BCX55-16T , BCX55T , BCX56-10T , BCX56-16T , BCX56T , 2SC2383 , MJD31CA , MJD44H11A , NMB2227A , PBHV8115TLH , PBHV8515QA , PBHV9115TLH , PBHV9540X , PBSS2515MB .

History: KRC823E | BDX27-16 | 2SB789A | NB212ZJ | PXTA14 | 2SC4563 | UMG11N

 

 
Back to Top

 


 
.