MMBT5551-MS Todos los transistores

 

MMBT5551-MS . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMBT5551-MS
   Código: G1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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MMBT5551-MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4143K  msksemi
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MMBT5551-MS

www.msksemi.comMMBT5551-MSSemiconductor CompianceSemiconductor CompianceTRANSISTOR (NPN)FEATURES Complementary to MMBT5401-MS Ideal for Medium Power Amplification and Switching1. BASE2. EMITTERMARKING: G1SOT23 3. COLLECTORMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 180 V VCEO Collector-Emitter Volt

 5.1. Size:875K  cn salltech
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MMBT5551-MS

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MMBT5551-MS

Jingdao Microelectronics co.LTD MMBT5551MMBT5551SOT-23NPN TRANSISTOR3FEATURES Complementary to MMBT5401 Ideal for Medium Power Amplification and Switching 1MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)2SymbolParameter Value Unit1.BASECollectorBase Voltage VCBO 180 V2.EMITTERCollectorEmitter V

 5.3. Size:473K  cn jksemi
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MMBT5551-MS

MMBT5551TRANSISTOR(NPN)SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsSOT-23 Features Complementary to MMBT5401 300mW; Power Dissipation of 300mW High Stability and High ReliabilityMechanical Data SOT-23 Small Outline Plastic Package UL Epoxy UL: 94V-0 Mounting Position: AnyMarking: G1Maximum Ratings & Thermal Characteristics (Ratings at 25 ambient temperature unl

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