2SAR533P5 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SAR533P5
Código: MM
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 300(typ) MHz
Capacitancia de salida (Cc): 24 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SAR533P5
2SAR533P5 Datasheet (PDF)
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2SAR533P5DatasheetMedium Power Transistors(-50V / -3A)lOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO-50VIC-3AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltage,typicallyVCE(sat)=-400mV(Max.)(IC/IB=-1A/-50mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHINGlPackaging specif
2sar533pfra.pdf
2SAR533P FRADatasheetMiddle Power Transistor(-50V / -3A)AEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO-50VIC-3AMPT3lFeatures lInner circuitl l1)Low saturation voltageVCE(sat)=-400mV(Max.)(IC/IB=-1A/-50mA)2)High speed switchinglApplicationlLOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHINGlPack
2sar533p.pdf
2SAR533P Data SheetPNP -3.0A -50V Middle Power TransistorlOutline MPT3Parameter ValueVCEO-50VBase IC-3.0ACollector Emitter 2SAR533P lFeatures(SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver2) Complementary NPN Types : 2SCR533P 3) Low VCE(sat)VCE(sat)= -0.4V Max. (IC/IB= -1A/ -50mA)4) Lead Free/RoHS Compliant.lInner circuitCollector lApplicatio
2sar533d.pdf
Midium Power Transistors (50V / 3A) 2SAR533D Features Dimensions (Unit : mm)1) Low saturation voltage, typicallyCPT36.55.12.3VCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -1A / -50mA)0.5(2)2) High speed switching0.75(3)(1) Structure0.65(1) Base 0.92.32.3(1) (2) (3)0.5PNP Silicon epitaxial planar transistor(2) Collector1.0(3) Emitter In
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