2SAR533P5 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SAR533P5

Código: MM

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 300 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 24 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 180

Encapsulados: SOT89

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2SAR533P5 datasheet

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2SAR533P5

2SAR533P5 Datasheet Medium Power Transistors(-50V / -3A) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -50V IC -3A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage,typically VCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-1A/-50mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPackaging specif

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2SAR533P5

2SAR533P FRA Datasheet Middle Power Transistor(-50V / -3A) AEC-Q101 Qualified lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -50V IC -3A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage VCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-1A/-50mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPack

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2SAR533P5

2SAR533P Data Sheet PNP -3.0A -50V Middle Power Transistor lOutline MPT3 Parameter Value VCEO -50V Base IC -3.0A Collector Emitter 2SAR533P lFeatures (SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types 2SCR533P 3) Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.4V Max. (IC/IB= -1A/ -50mA) 4) Lead Free/RoHS Compliant. lInner circuit Collector lApplicatio

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2SAR533P5

Midium Power Transistors ( 50V / 3A) 2SAR533D Features Dimensions (Unit mm) 1) Low saturation voltage, typically CPT3 6.5 5.1 2.3 VCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -1A / -50mA) 0.5 (2) 2) High speed switching 0.75 (3) (1) Structure 0.65 (1) Base 0.9 2.3 2.3 (1) (2) (3) 0.5 PNP Silicon epitaxial planar transistor (2) Collector 1.0 (3) Emitter In

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