2SAR533P5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SAR533P5

Маркировка: MM

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SAR533P5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SAR533P5 даташит

 ..1. Size:1823K  rohm
 2sar533p5.pdf pdf_icon

2SAR533P5

2SAR533P5 Datasheet Medium Power Transistors(-50V / -3A) lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -50V IC -3A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage,typically VCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-1A/-50mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPackaging specif

 6.1. Size:1560K  rohm
 2sar533pfra.pdf pdf_icon

2SAR533P5

2SAR533P FRA Datasheet Middle Power Transistor(-50V / -3A) AEC-Q101 Qualified lOutline l SOT-89 Parameter Value SC-62 VCEO -50V IC -3A MPT3 lFeatures lInner circuit l l 1)Low saturation voltage VCE(sat)=-400mV(Max.) (IC/IB=-1A/-50mA) 2)High speed switching lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING lPack

 6.2. Size:1667K  rohm
 2sar533p.pdf pdf_icon

2SAR533P5

2SAR533P Data Sheet PNP -3.0A -50V Middle Power Transistor lOutline MPT3 Parameter Value VCEO -50V Base IC -3.0A Collector Emitter 2SAR533P lFeatures (SC-62) 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types 2SCR533P 3) Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.4V Max. (IC/IB= -1A/ -50mA) 4) Lead Free/RoHS Compliant. lInner circuit Collector lApplicatio

 7.1. Size:421K  rohm
 2sar533d.pdf pdf_icon

2SAR533P5

Midium Power Transistors ( 50V / 3A) 2SAR533D Features Dimensions (Unit mm) 1) Low saturation voltage, typically CPT3 6.5 5.1 2.3 VCE (sat) = -0.4V (Max.) (IC / IB= -1A / -50mA) 0.5 (2) 2) High speed switching 0.75 (3) (1) Structure 0.65 (1) Base 0.9 2.3 2.3 (1) (2) (3) 0.5 PNP Silicon epitaxial planar transistor (2) Collector 1.0 (3) Emitter In

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: S8550L-T3, S8550H-T3, 2SA1576U3, 2SA1576U3HZG, 2SAR293P5, 2SAR502U3, 2SAR512P5, 2SAR513P5, TIP42C, 2SAR552P5, 2SAR553P5, 2SAR553PHZG, 2SAR554P5, 2SAR572D3, 2SC4081U3, 2SC4081U3HZG, 2SC5876U3