2SCR574D3FRA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SCR574D3FRA  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 280 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO252

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2SCR574D3FRA datasheet

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2SCR574D3FRA

2SCR574D3 FRA Datasheet NPN 2.0A 80V Power Transistor AEC-Q101 Qualified lOutline l Parameter Value DPAK VCEO 80V IC 2A TO-252 lFeatures lInner circuit l l 1) Suitable for Power Driver. 2) Complementary PNP Types 2SAR574D3 FRA. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=300mV(Max.). (IC/IB=1A/50mA) lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIF

 6.1. Size:791K  rohm
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2SCR574D3FRA

2SCR574D A07 Datasheet NPN 2.0A 80V Middle Power Transistor lOutline l Parameter Value CPT VCEO 80V IC 2A 2SCR574D A07 lFeatures l 1) Suitable for Middle Power Driver. lInner circuit l 2) Complementary PNP Types 2SAR574D. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=0.30V(Max.). (IC/IB=1A/50mA) 4) Lead

 6.2. Size:789K  rohm
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2SCR574D3FRA

2SCR574D Datasheet NPN 2.0A 80V Middle Power Transistor lOutline l Parameter Value CPT VCEO 80V IC 2A 2SCR574D lFeatures l 1) Suitable for Middle Power Driver. lInner circuit l 2) Complementary PNP Types 2SAR574D. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=0.30V(Max.). (IC/IB=1A/50mA) 4) Lead Free/Ro

 6.3. Size:213K  inchange semiconductor
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2SCR574D3FRA

isc Silicon NPN Power Transistor 2SCR574D DESCRIPTION Suitable for middle power drivers Low V CE(sat) V =0.3V(max)@(I =1A,I =50mA) CE(sat) C B Complementary NPN types 2SAR574D 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Low frequency amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETE

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