2SCR574D3FRA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SCR574D3FRA  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 280 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SCR574D3FRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SCR574D3FRA даташит

 ..1. Size:1014K  rohm
 2scr574d3fra.pdf pdf_icon

2SCR574D3FRA

2SCR574D3 FRA Datasheet NPN 2.0A 80V Power Transistor AEC-Q101 Qualified lOutline l Parameter Value DPAK VCEO 80V IC 2A TO-252 lFeatures lInner circuit l l 1) Suitable for Power Driver. 2) Complementary PNP Types 2SAR574D3 FRA. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=300mV(Max.). (IC/IB=1A/50mA) lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIF

 6.1. Size:791K  rohm
 2scr574da07.pdf pdf_icon

2SCR574D3FRA

2SCR574D A07 Datasheet NPN 2.0A 80V Middle Power Transistor lOutline l Parameter Value CPT VCEO 80V IC 2A 2SCR574D A07 lFeatures l 1) Suitable for Middle Power Driver. lInner circuit l 2) Complementary PNP Types 2SAR574D. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=0.30V(Max.). (IC/IB=1A/50mA) 4) Lead

 6.2. Size:789K  rohm
 2scr574d.pdf pdf_icon

2SCR574D3FRA

2SCR574D Datasheet NPN 2.0A 80V Middle Power Transistor lOutline l Parameter Value CPT VCEO 80V IC 2A 2SCR574D lFeatures l 1) Suitable for Middle Power Driver. lInner circuit l 2) Complementary PNP Types 2SAR574D. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=0.30V(Max.). (IC/IB=1A/50mA) 4) Lead Free/Ro

 6.3. Size:213K  inchange semiconductor
 2scr574d.pdf pdf_icon

2SCR574D3FRA

isc Silicon NPN Power Transistor 2SCR574D DESCRIPTION Suitable for middle power drivers Low V CE(sat) V =0.3V(max)@(I =1A,I =50mA) CE(sat) C B Complementary NPN types 2SAR574D 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Low frequency amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SCR512P5, 2SCR513P5, 2SCR533P5, 2SCR544P5, 2SCR554P5, 2SCR572D3, 2SCR572D3FRA, 2SCR573D3, 8050, BC847BHZG, BC847BU3, BC857BHZG, DTA115EUB, DTD143ECHZG, EMX4, LSCR523EBFS8, SST2222AHZG