BC847BU3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BC847BU3  📄📄 

Código: G1F

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 45 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT23

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BC847BU3 datasheet

 ..1. Size:1659K  rohm
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BC847BU3

BC847B / BC847BU3 Datasheet General purpose small signal amplifier (50V, 150mA) lOutline l Parameter Value SOT-23 SOT-323 VCEO 45V IC 100mA BC847B BC847BU3 (SST3) (UMT3) lFeatures lInner circuit l l 1)BVCEO>45V(IC=1mA) 2)Complements the BC857B/BC857BU3. lApplication l GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL AMPLIFIER

 7.1. Size:200K  cn sino-ic
sebc847bu sebc847cu.pdf pdf_icon

BC847BU3

SHANGHAI June 2009 MICROELECTRONICS CO., LTD. SEBC847BU/SEBC847CU NPN General Purpose Transistor Revision A External dimensions (Units mm) Features BVCEO

 8.1. Size:123K  philips
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BC847BU3

 8.2. Size:53K  philips
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BC847BU3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET andbook, halfpage MBD128 BC847BPN NPN/PNP general purpose transistor 1999 Apr 26 Preliminary specification Supersedes data of 1997 Jul 09 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN/PNP general purpose transistor BC847BPN FEATURES PINNING Low collector capacitance PIN DESCRIPTION Low collector-emitter saturation voltage 1, 4 e

Otros transistores... 2SCR533P5, 2SCR544P5, 2SCR554P5, 2SCR572D3, 2SCR572D3FRA, 2SCR573D3, 2SCR574D3FRA, BC847BHZG, TIP35C, BC857BHZG, DTA115EUB, DTD143ECHZG, EMX4, LSCR523EBFS8, SST2222AHZG, SST2907AHZG, UMF28N