Справочник транзисторов. BC847BU3

 

Биполярный транзистор BC847BU3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BC847BU3
   Маркировка: G1F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BC847BU3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1659K  rohm
bc847b bc847bu3.pdfpdf_icon

BC847BU3

BC847B / BC847BU3DatasheetGeneral purpose small signal amplifier(50V, 150mA)lOutlinelParameter Value SOT-23 SOT-323VCEO45VIC100mA BC847B BC847BU3(SST3) (UMT3) lFeatures lInner circuitl l1)BVCEO>45V(IC=1mA)2)Complements the BC857B/BC857BU3.lApplicationlGENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL AMPLIFIER

 7.1. Size:200K  cn sino-ic
sebc847bu sebc847cu.pdfpdf_icon

BC847BU3

SHANGHAI June 2009 MICROELECTRONICS CO., LTD. SEBC847BU/SEBC847CU NPN General Purpose Transistor Revision:A External dimensions (Units : mm) Features BVCEO

 8.1. Size:123K  philips
bc847bv.pdfpdf_icon

BC847BU3

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETM3D744BC847BVNPN general purpose double transistorProduct data sheet 2001 Sep 10NXP Semiconductors Product data sheetNPN general purpose double transistor BC847BVFEATURES PINNING 300 mW total power dissipationPIN DESCRIPTION Very small 1.6 mm 1.2 mm 0.55 mm ultra thin 1, 4 emitter TR1; TR2package2, 5 base TR1; TR2

 8.2. Size:53K  philips
bc847bpn 2.pdfpdf_icon

BC847BU3

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETandbook, halfpageMBD128BC847BPNNPN/PNP general purposetransistor1999 Apr 26Preliminary specificationSupersedes data of 1997 Jul 09Philips Semiconductors Preliminary specificationNPN/PNP general purpose transistor BC847BPNFEATURES PINNING Low collector capacitancePIN DESCRIPTION Low collector-emitter saturation voltage1, 4 e

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: LMUN5235DW1T1G | 2N6772 | MJ4030 | GT330I | US6X3 | BC846AS | 2SC2800

 

 
Back to Top

 


 
.