2SD1007HQ . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD1007HQ
Código: HQ
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 90(typ) MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SD1007HQ
2SD1007HQ Datasheet (PDF)
2sd1007.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SD10071.70 0.1FeaturesHigh collector to emitter voltage: VCEO 120V.0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 120 VCollector-emitter voltage VCEO 120 VEmitter-base voltage VEBO 5 VCollector current IC 0.7 ACollector current (pulse) * IC (pu
2sd1007.pdf
2SD1007NPN Silicon Epitaxial TransistorFEATURESHigh collector to emitter voltage: VCEO 120V.SOT-89MECHANICAL DATA Case: SOT-89 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.055 grams (approximate)MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise noted)AParameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage V 120 VCBOCo
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS