2SD1007HQ Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD1007HQ

Código: HQ

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 120 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 90 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 10 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SOT89

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2SD1007HQ datasheet

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2SD1007HQ

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2SD1007HQ

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2SD1007HQ

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD1007 1.70 0.1 Features High collector to emitter voltage VCEO 120V. 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 120 V Collector-emitter voltage VCEO 120 V Emitter-base voltage VEBO 5 V Collector current IC 0.7 A Collector current (pulse) * IC (pu

 7.3. Size:1001K  cn hottech
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2SD1007HQ

2SD1007 NPN Silicon Epitaxial Transistor FEATURES High collector to emitter voltage VCEO 120V. SOT-89 MECHANICAL DATA Case SOT-89 Case Material Molded Plastic. UL flammability Classification Rating 94V-0 Weight 0.055 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (T = 25 C unless otherwise noted) A Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage V 120 V CBO Co

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