2SD1007HQ Todos los transistores

 

2SD1007HQ . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD1007HQ
   Código: HQ
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90(typ) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT89
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SD1007HQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  cn shikues
 2sd1007hr 2sd1007hq 2sd1007hp.pdf pdf_icon

2SD1007HQ

 7.1. Size:223K  nec
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2SD1007HQ

 7.2. Size:357K  kexin
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2SD1007HQ

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SD10071.70 0.1FeaturesHigh collector to emitter voltage: VCEO 120V.0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 120 VCollector-emitter voltage VCEO 120 VEmitter-base voltage VEBO 5 VCollector current IC 0.7 ACollector current (pulse) * IC (pu

 7.3. Size:1001K  cn hottech
 2sd1007.pdf pdf_icon

2SD1007HQ

2SD1007NPN Silicon Epitaxial TransistorFEATURESHigh collector to emitter voltage: VCEO 120V.SOT-89MECHANICAL DATA Case: SOT-89 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.055 grams (approximate)MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise noted)AParameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage V 120 VCBOCo

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History: NSVMMBTH10L | HIT5609 | 3DD13005_B3 | BSW75 | 3DD3320_AN | 2SD874A-R | 2N2113

 

 
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