Биполярный транзистор 2SD1007HQ Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SD1007HQ
Маркировка: HQ
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора: SOT89
Аналог (замена) для 2SD1007HQ
2SD1007HQ Datasheet (PDF)
2sd1007.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SD10071.70 0.1FeaturesHigh collector to emitter voltage: VCEO 120V.0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 120 VCollector-emitter voltage VCEO 120 VEmitter-base voltage VEBO 5 VCollector current IC 0.7 ACollector current (pulse) * IC (pu
2sd1007.pdf
2SD1007NPN Silicon Epitaxial TransistorFEATURESHigh collector to emitter voltage: VCEO 120V.SOT-89MECHANICAL DATA Case: SOT-89 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.055 grams (approximate)MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise noted)AParameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage V 120 VCBOCo
Другие транзисторы... 2SC4226C , 2SC4226D , 2SC4226E , 2SC4672Q , 2SC4672R , 2SC5053R , 2SD1000K , 2SD1000L , D882 , 2SD1614XL , 2SD1614XM , 2SD1615GK , 2SD1615GL , 2SD1615GM , 2SD1766P , 2SD1766Q , 2SD1766R .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f