Биполярный транзистор 2SD1007HQ - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD1007HQ
Маркировка: HQ
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для 2SD1007HQ
2SD1007HQ Datasheet (PDF)
2sd1007.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SD10071.70 0.1FeaturesHigh collector to emitter voltage: VCEO 120V.0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 120 VCollector-emitter voltage VCEO 120 VEmitter-base voltage VEBO 5 VCollector current IC 0.7 ACollector current (pulse) * IC (pu
2sd1007.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2SD1007NPN Silicon Epitaxial TransistorFEATURESHigh collector to emitter voltage: VCEO 120V.SOT-89MECHANICAL DATA Case: SOT-89 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.055 grams (approximate)MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise noted)AParameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage V 120 VCBOCo
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .