B722S-E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: B722S-E
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 80(typ) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 55(max) pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar B722S-E

B722S-E Datasheet (PDF)

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B722SPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audiofrequency power amplifier and low speed switchingSOT-23 applications1BASE 2EMITTER 3COLLECTOR OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Colle

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050