B722S-E Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: B722S-E

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 typ MHz

Capacitancia de salida (Cc): 55 max pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT23

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B722S-E datasheet

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B722S-E

B722S PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching SOT-23 applications 1 BASE 2 EMITTER 3 COLLECTOR O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Colle

Otros transistores... 2SD2150S, 2SD874A-Q, 2SD874A-R, 2SD874A-S, 2SD965-R, 2SD965-S, A1015H, A1015L, A733, B722S-P, B722S-Q, B722S-R, B772GR, B772O, B772R, B772Y, C1815G