B722S-E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: B722S-E

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 max pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для B722S-E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

B722S-E даташит

 ..1. Size:451K  cn shikues
 b722s-r b722s-q b722s-p b722s-e.pdf pdf_icon

B722S-E

B722S PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching SOT-23 applications 1 BASE 2 EMITTER 3 COLLECTOR O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Colle

Другие транзисторы: 2SD2150S, 2SD874A-Q, 2SD874A-R, 2SD874A-S, 2SD965-R, 2SD965-S, A1015H, A1015L, A733, B722S-P, B722S-Q, B722S-R, B772GR, B772O, B772R, B772Y, C1815G