B722S-Q Todos los transistores

 

B722S-Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: B722S-Q
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80(typ) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 55(max) pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

B722S-Q Datasheet (PDF)

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B722S-Q

B722SPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audiofrequency power amplifier and low speed switchingSOT-23 applications1BASE 2EMITTER 3COLLECTOR OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Colle

Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: KTC4371 | FJP5027 | KT8107E2 | HEPS3060 | 2SD1766R | 2SD1231 | DME914C1

 

 
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