B722S-Q Todos los transistores

 

B722S-Q Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: B722S-Q
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80(typ) MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 55(max) pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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B722S-Q datasheet

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 b722s-r b722s-q b722s-p b722s-e.pdf pdf_icon

B722S-Q

B722S PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching SOT-23 applications 1 BASE 2 EMITTER 3 COLLECTOR O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Colle... See More ⇒

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