SXT5551 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SXT5551
Código: G1
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 180 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6(max) pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SOT89
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SXT5551 Datasheet (PDF)
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SXT5551High Voltage Transistors DESCRIPTION & FEATURES High Breakdown Voltage(BVCBO=180V) DEVICE MARKINGDEVICE MARKING: SXT5551=G1 SMALL-SIGNAL CHARA CTERISTISTICSSIGNAL CHARA CTERISTISTICS REV.08 1 of 2SXT5551ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TCHARACTERISTICS (TA=25 unless otherwise noted) SOT-89SOT-89 DIMENSION SOTREV.08 2 of 2
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