SXT5551 Todos los transistores

 

SXT5551 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SXT5551
   Código: G1
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 160 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 180 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6(max) pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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SXT5551 Datasheet (PDF)

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SXT5551

SXT5551High Voltage Transistors DESCRIPTION & FEATURES High Breakdown Voltage(BVCBO=180V) DEVICE MARKINGDEVICE MARKING: SXT5551=G1 SMALL-SIGNAL CHARA CTERISTISTICSSIGNAL CHARA CTERISTISTICS REV.08 1 of 2SXT5551ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TCHARACTERISTICS (TA=25 unless otherwise noted) SOT-89SOT-89 DIMENSION SOTREV.08 2 of 2

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History: 2SB1172A

 

 
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