Справочник транзисторов. SXT5551

 

Биполярный транзистор SXT5551 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: SXT5551
   Маркировка: G1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6(max) pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для SXT5551

 

 

SXT5551 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  cn shikues
sxt5551.pdf

SXT5551 SXT5551

SXT5551High Voltage Transistors DESCRIPTION & FEATURES High Breakdown Voltage(BVCBO=180V) DEVICE MARKINGDEVICE MARKING: SXT5551=G1 SMALL-SIGNAL CHARA CTERISTISTICSSIGNAL CHARA CTERISTISTICS REV.08 1 of 2SXT5551ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TCHARACTERISTICS (TA=25 unless otherwise noted) SOT-89SOT-89 DIMENSION SOTREV.08 2 of 2

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top