Биполярный транзистор SXT5551 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: SXT5551
Маркировка: G1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6(max) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT89
Аналог (замена) для SXT5551
SXT5551 Datasheet (PDF)
sxt5551.pdf

SXT5551High Voltage Transistors DESCRIPTION & FEATURES High Breakdown Voltage(BVCBO=180V) DEVICE MARKINGDEVICE MARKING: SXT5551=G1 SMALL-SIGNAL CHARA CTERISTISTICSSIGNAL CHARA CTERISTISTICS REV.08 1 of 2SXT5551ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TCHARACTERISTICS (TA=25 unless otherwise noted) SOT-89SOT-89 DIMENSION SOTREV.08 2 of 2
Другие транзисторы... S8050L , S9012L , S9014T-H , S9014T-L , SS8050W-H , SS8050W-J , SS8050W-L , SXT5401 , 2SC1740 , SZT560A , 13001S , 2SA812M8 , 2SB1132-P , 2SB1132-Q , 2SB1132-R , 2SB1188-P , 2SB1188-Q .
History: SZT560A | WTS772 | SS8050W-H | SS8050W-L
History: SZT560A | WTS772 | SS8050W-H | SS8050W-L



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet