SXT5551 - описание и поиск аналогов

 

SXT5551. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SXT5551

Маркировка: G1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 max pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для SXT5551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SXT5551 даташит

 ..1. Size:314K  cn shikues
 sxt5551.pdf pdf_icon

SXT5551

SXT5551 High Voltage Transistors DESCRIPTION & FEATURES High Breakdown Voltage(BVCBO=180V) DEVICE MARKING DEVICE MARKING SXT5551=G1 SMALL-SIGNAL CHARA CTERISTISTICS SIGNAL CHARA CTERISTISTICS REV.08 1 of 2 SXT5551 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T CHARACTERISTICS (TA=25 unless otherwise noted) SOT-89 SOT-89 DIMENSION SOT REV.08 2 of 2

Другие транзисторы: S8050L, S9012L, S9014T-H, S9014T-L, SS8050W-H, SS8050W-J, SS8050W-L, SXT5401, TIP32C, SZT560A, 13001S, 2SA812M8, 2SB1132-P, 2SB1132-Q, 2SB1132-R, 2SB1188-P, 2SB1188-Q

 

 

 

 

↑ Back to Top
.