Биполярный транзистор SXT5551 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SXT5551
Маркировка: G1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6(max) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT89
SXT5551 Datasheet (PDF)
..1. Size:314K cn shikues
sxt5551.pdf
sxt5551.pdf
SXT5551High Voltage Transistors DESCRIPTION & FEATURES High Breakdown Voltage(BVCBO=180V) DEVICE MARKINGDEVICE MARKING: SXT5551=G1 SMALL-SIGNAL CHARA CTERISTISTICSSIGNAL CHARA CTERISTISTICS REV.08 1 of 2SXT5551ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TCHARACTERISTICS (TA=25 unless otherwise noted) SOT-89SOT-89 DIMENSION SOTREV.08 2 of 2
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
